Journal Cover
Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki : Materials of Electronics Engineering
Number of Followers: 0  
 
  Full-text available via subscription Subscription journal
ISSN (Print) 1609-3577 - ISSN (Online) 2413-6387
Published by National University of Science and Technology Homepage  [3 journals]
  • Исследование влияния кратковременного
           воздействия кислородной и водородной
           плазмы на состав и структуру тонких
           пленок диоксида олова

    • Free pre-print version: Loading...

      Authors: Н. М. Томпакова, А. А. Полисан
      Abstract: Современные технологии не обходятся без производства тонких пленок диоксида олова, которые наиболее широко применяются в основном в трех областях: в качестве прозрачных электродов, катализаторов и твердотельных сенсоров различных газов. Применение их в качестве прозрачных электродов связано с высоким коэффициентом пропускания слоев диоксида олова в оптическом диапазоне, а также с их низким удельным электрическим сопротивлением. Рассмотрено влияние кратковременного воздействия плазмы на состав и структуру тонких пленок диоксида олова, полученных из раствора пятиводного тетрахлорида олова в 97%-ном этаноле с различной концентрацией ионов олова. Выявлен линейный характер зависимости толщины пленок диоксида олова SnO2 от концентрации раствора и количества нанесенных слоев. Обнаружено уменьшение электрического сопротивления пленок с повышением концентрации исходного раствора и увеличением количества слоев. Показано, что обработка пленок SnO2 водородной плазмой ...
      PubDate: 2021-09-08
      Issue No: Vol. 24 (2021)
       
  • Исследование сегнетоэлектрических
           нанокомпозитов на основе P(VDF-TrFE)
           методами сканирующей зондовой
           микроскопии

    • Free pre-print version: Loading...

      Authors: Ю. С. Терехова, Д. А. Киселев, А. В. Солнышкин
      Abstract: Нанокомпозиты на основе керамики и полимеров сочетают в себе качества составляющих их компонентов: гибкость, упругость, перерабатываемость полимеров и характерные для стекол твердость, устойчивость к износу, высокий показатель светопреломления. Благодаря этому улучшаются многие свойства материалов по сравнению с исходными компонентами. В последнее время исследователи проявляют большой интерес к изучению свойств сложных композитных соединений. Во-первых, это связано с уникальными свойствами таких структур по сравнению с «обычными», однородными по составу веществами.  Во-вторых, — с  тем, что подобные соединения могут оказаться значительно более дешевыми, чем однородные структуры, при условии, что композит по ряду физических показателей и в диапазоне заданных параметров (температуры, частоты приложенного поля и т.д.) идентичен однородным веществам. Так, сегнетоэлектрические полимеры типа поливинилиденфторида (PVDF) и сополимеры на его основе нашли широкое применение в качест&...
      PubDate: 2021-08-20
      Issue No: Vol. 24 (2021)
       
  • Моделирование вольт-амперной
           характеристики мемристора TiN/HfO2/Pt при
           различной толщине токопроводящего
           канала

    • Free pre-print version: Loading...

      Authors: А. Н. Алёшин, Н. В. Зенченко, О. А. Рубан
      Abstract: Методом конечных элементов и с использованием в качестве математического базиса уравнений Максвелла в стационарном состоянии проведено моделирование работы биполярного мемристора TiN/HfO2/Pt, что позволило изучить влияние толщины токопроводящего канала на форму вольт-амперной характеристики. За токопроводящий канал принималась обогащенная ионами Hf фаза HfOx (x < 2), имеющая структуру фазы Магнели, и, соответственно, обладающая повышенной электропроводностью. Разработан механизм образования, роста и растворения фазы HfOx в условиях биполярного режима работы мемристора, который позволяет управлять потоками кислородных вакансий. Токопроводящий канал имел форму цилиндра с радиусом, варьируемым в пределах 5—10 нм. Показано, что с увеличением толщины канала увеличивается и площадь гистерезисных петель вольт-амперной характеристики, что связано с возрастающей энергетической нагрузкой при работе мемристора. Разработана модель, которая позволяет проводить количественные расчеты ...
      PubDate: 2021-08-20
      Issue No: Vol. 24 (2021)
       
  • Влияние особенностей PECVD процессов
           осаждения SiNx на электрические параметры
           структур SiNx/AlGaN/GaN

    • Free pre-print version: Loading...

      Authors: К. Л. Енишерлова, Л. А. Сейдман, Э. М. Темпер, Ю. А. Концевой
      Abstract: В работе проводилось исследование влияние процессов плазмохимического осаждения пленок SiNx на электрические параметры структуры диэлектрик/АlGaN/GaN. Анализировалось влияние состава формируемых пленок, воздействие дополнительной обработки поверхности гетероструктур в плазме азота перед осаждением диэлектрика, а также влияние подачи ВЧ-смещения при такой обработке на особенности С-V и I-V характеристик структур SiNx/АlGaN/GaN. Установлено, что для пленок с соотношением концентраций азота и кремнию 60 % и 40 %, а также с повышенным содержании кислорода характерно уменьшение величины фиксированного положительного заряда в этих структурах, но на I-V характеристиках структур наблюдается появление пульсаций тока. Выявлено как режимы процесса плазмохимии влияют на такие параметры осцилляций, как период, амплитуда, длина участка I-V характеристики, на котором наблюдаются осцилляции. Предложено возможное объяснение причин появления характерных пульсаций. Установлено, что дополнительное воздействие аз&#...
      PubDate: 2021-08-20
      Issue No: Vol. 24 (2021)
       
  • Моделирование процесса газофазного
           осаждения и базовых неоднородностей
           слоев оксида кремния

    • Free pre-print version: Loading...

      Authors: В. Л. Евдокимов
      Abstract: Предложена молекулярно-кинетическая модель процесса осаждения слоев из газовой фазы, включающая комплексную схему стадий и выражения для расчета скоростей по гетерогенному и гомогенному механизмам роста. Модель учитывает диффузию, адсорбцию и химическое превращение реагентов с образованием на подложке и в пограничном газовом слое основного, побочного продуктов и кластеров. На основе полученных выражений сформулированы показатели химической, структурной и топологической неоднородностей, как отклонений базовых характеристик слоев. Сделаны оценки характеристик слоев оксида кремния на примерах их осаждения окислением моносилана и тетраэтоксисилана.
      PubDate: 2021-08-11
      Issue No: Vol. 24 (2021)
       
  • Поиск начального приближения для задачи
           экстракции параметров модели
           мемристора с помощью методов машинного
           обучения

    • Free pre-print version: Loading...

      Authors: Е. С. Шамин, Д. А. Жевненко, Ф. П. Мещанинов, В. С. Кожевников, Е. С. Горнев
      Abstract: В центре внимания данной работы лежит задача экстракции параметров модели мемристора из экспериментально полученных вольтамперных характеристик. Ставится проблема поиска начального приближения для данной задачи на основе анализа внешнего вида ВАХ средствами машинного обучения.
      PubDate: 2021-08-11
      Issue No: Vol. 24 (2021)
       
  • Моделирование времени до пробоя
           пористого диэлектрика в системе
           металлизации интегральных схем
           современного топологического уровня

    • Free pre-print version: Loading...

      Authors: А. А. Орлов, А. А. Резванов
      Abstract: В работе выполняется имитационное моделирование процессов диффузии ионов металлического барьера в low-k диэлектрик между двумя медными линиями.
      PubDate: 2021-08-11
      Issue No: Vol. 24 (2021)
       
 
JournalTOCs
School of Mathematical and Computer Sciences
Heriot-Watt University
Edinburgh, EH14 4AS, UK
Email: journaltocs@hw.ac.uk
Tel: +00 44 (0)131 4513762
 


Your IP address: 18.204.2.231
 
Home (Search)
API
About JournalTOCs
News (blog, publications)
JournalTOCs on Twitter   JournalTOCs on Facebook

JournalTOCs © 2009-